تصنع Samsung LSI حاليًا شركة Qualcomm's Snapdragon 820 على عقدة LFP FinFET من الجيل الثاني 14nm ، ويبدو أن الشركة الكورية الجنوبية قد حصلت على عقد مع Snapdragon 830 للعام المقبل. هذا وفقًا لـ ET News الكورية ، التي تنص على أن شركة نفط الجنوب سوف تستخدم في Galaxy S8. من المحتمل أن تحتفظ شركة Samsung بنفس الاستراتيجية التي اتبعتها لجهاز Galaxy S7 و S7 edge ، حيث يتم تشغيل النماذج الأمريكية بواسطة Snapdragon 830 ، في حين أن الإصدار العالمي يدير Exynos 8895.
مثل Snapdragon 830 ، فإن Exynos 8895 من سامسونج ستقوم أيضًا على عملية التصنيع التي تبلغ 10 نانو متر. كتبت ET News أيضًا أن كوالكوم وسامسونغ تعملان على تطوير تقنية FoPLP (حزمة مستوى الألواح الخارجية) التي تلغي الحاجة إلى لوحة دوائر مطبوعة لطبقة الركيزة التي سيتم استخدامها في Snapdragon 830 و Exynos 8895.
لا نعرف الكثير عن شركة نفط الجنوب ، لكن يبدو أن شركة Samsung تتطلع إلى الوصول إلى ترددات أعلى بكثير من خلال الانتقال إلى 10 نانومتر. يشير تسرب Exynos 8895 اعتبارًا من شهر أغسطس إلى أن شركة Samsung تصل إلى 4GHz على مركز Mongoose المخصص لها ، وتصل إلى 2.7 جيجا هرتز على نظام Cortex A53. سيكون من المثير للاهتمام معرفة نوع مكاسب الأداء التي تحققها كوالكوم من خلال تطبيق Kryo CPU.
