بعد التقدم المنطقي على امتداد تطوير ذاكرة الفلاش ، أعلنت شركة Samsung للتو أنها ستبدأ في إنتاج شرائح الفلاش ثلاثية الأبعاد "الرأسية NAND" (V-NAND). على الرغم من أننا نعرف شركة Samsung كشركة إلكترونيات استهلاكية ضخمة ، إلا أن الشركة المصنعة الكورية لديها أيضًا أعمال تجارية مربحة تصنع المكونات الداخلية - مثل المعالجات ووحدات تخزين الفلاش وشاشات العرض - للعديد من الشركات المصنعة للأجهزة المختلفة.
لقد تحدثنا من قبل عن انتقال Samsung (والمصنعين الآخرين) إلى تكنولوجيا أصغر لتركيب كمية أكثر كثافة من التخزين في نفس المنطقة المادية مع الانتقال إلى عملية تصنيع من فئة 10 نانومتر ، ولكن كما قد يدفعك الاسم إلى توقع يمضي نظام 3D NAND الجديد خطوة إلى الأمام. بدلاً من التمسك بهيكل "مستو" تقليدي (مسطح) ، تعمل Samsung الآن على تصنيع رقائق تكدس المكونات رأسياً - حتى 24 طبقة من الخلايا.
تمامًا مثل الانتقال إلى بنية أصغر ، يتمتع الانتقال إلى V-NAND بمزايا متأصلة في كل من الموثوقية والسرعات الخاصة بالرقائق الناتجة. تقول شركة Samsung أن رقائق V-NAND الأولى أكثر موثوقية من 2 إلى 10 أضعاف ولديها أداء ضعفي في الكتابة مقارنة بذاكرة فلاش فئة 10 نانومتر الحالية.
مع بدء الإنتاج الضخم الآن ، تتوقع شركة Samsung أن تنتج الرقائق الجديدة إلكترونيات استهلاكية بدءًا من محركات أقراص الحالة الصلبة (SSD) من الكمبيوتر من فئة المستهلك وصولاً إلى تخزين فلاش مدمج في المستقبل القريب.
المصدر: Samsung (BusinessWire)
